这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解,济南及项从而获得了高质量的石墨烯薄膜,济南及项并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路,为将来的应用铺平了道路。
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更重要的是,目进这种低成本、目进低温的V族元素扩散掺杂工艺与传统的Cu掺杂工艺兼容,因此可方便地与生产线集成,从而进一步使CdTe基太阳能电池技术在市场上更具竞争力。
最终获得了开路电压(VOC)高达863mV的V族掺杂CdSeTe太阳能电池,济南及项高于Cu掺杂器件的852mV。科学家辞职、修订行扶抗议也不是头一回了。
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